寬能隙功率半導體
作為半導體產業的重要發展趨勢，漢民科技領先投入寬能隙半導體（亦稱化合物半導體或第三代半導體）的設備研發與生產，進行全方位佈局已逾二十年，從IC設計、材料、生產設備、磊晶，到晶圓代工，已成為台灣供應鏈佈局最完整的廠商：
關鍵材料技術
碳化矽（SiC）是寬能隙功率半導體的明日之星，也被視為戰略性物資，但基板材料的晶體成長技術難度極高，過往多掌握在美日廠商手中。漢民以多年時間研製SiC長晶爐設備，啟動SiC基板製造業務，在台灣竹南廣源設廠並投入量產，提供包括SiC長晶、定位加工、切割、研磨與基板製造等關鍵材料的完整產製服務。
製程設備研發與製造
漢民自主研發半導體設備，包含金屬有機化學氣相沉積設備（MOCVD）、ICP電漿蝕刻機（ICP Etcher）以及電子束蒸鍍設備（E-beam Evaporator）等，可因應化合物半導體製程等需求。
測試解決方案
漢民測試（HTSI）累積豐厚的技術能量，提供高階探針卡（Probe Card）、自動光學檢測（Automated Optical Inspection）等客製化服務，為客戶與通訊、能源、HPC與AI領域的應用產品，提供完善的支援服務。
漢民積極發展化合物半導體相關業務，二十年來一步一腳印，以前瞻佈局，因應未來技術投產、支持產業發展、加速應用普及等各個面向的問題。從2023年開始，漢民新設的廣源廠，已開始量產高品質的6”n-type SiC基板，可望運用在電動車及新能源等領域。而MOCVD已完成硬體驗證，著手進行製程測試，並持續優化機台功能，為快速成長的各項化合物半導體相關產品量產需求積蓄能量。
漢民科技
化合物半導體佈局
