AIBT專注於高電流離子植入解決方案，產品可應用於28nm至2nm及更先進的製程。
我們的解決方案提供卓越的生產力及領先業界的能量污染控制性能，這得益於我們的專利「Chicane Beamline」技術。iBlazar的精確ISO掃描模式在高傾角、低能量的離子植入中實現了更佳的均勻度。其大範圍的傾角、精確的控制和補償能力，使iBlazar成為多種應用的理想選擇。
高電流離子佈植機
High-current Ion Implanter
無能量汙染
高生產力
精準的束流角度控制能力
最大的離子植入角度與先進的ISO掃描模式
卓越的粒子缺陷控制
佔地面積小
極低能量高電流離子佈植設備
在高電流離子植入的專業領域裡，極低能量植入( ULE， Ultra Low Energy ) 代表對製程控制的極致挑戰。AIBT結合本土研發及供應鏈能量，與全球領導客戶合作，突破最尖端邏輯製程的技術挑戰。
iBlazar
採用業界標準的Linear scan，並融入最新技術 ISO scan與高效率晶片傳輸系統，藉由提供先進高電流與極低能高電流，可精確控制角度並提升產能，與 iPulsar Plus 可技術銜接。
擁有最大晶圓傾斜角度植入能力，此為市場領先技術，同時具備卓越的粒子缺陷控制與高真空性能。在領先技術與高生產效益的引領下，iBlazar實現了高電流離子植入機的極致表現。
更多資訊，請參閱漢辰科技官網：https://www.aibt.com.tw/
