導電型4H碳化矽及半絕緣基板

Conductive 4H SiC and Semi-insulating Substrates

原材特性及性能

寬能隙半導體材料

高功率密度、高轉換效率、高導熱率

廣泛適用於車載逆變器

研發實力

4吋-8吋晶體生長技術

4吋-8吋自主研發長晶爐

具競爭力的晶體品質

漢民以多年時間研製SiC長晶爐設備,啟動SiC基板製造業務,提供包括SiC長晶、定位加工、切割、研磨與基板製造等關鍵材料的完整產製服務。漢民供應6吋與8吋導電型4H碳化矽及半絕緣基板,並依據客戶規格及需求提供所需之SiC基板。

漢民積極發展寬能隙與化合物半導體相關業務,二十年來一步一腳印,以前瞻佈局,因應未來技術落地、產業發展、應用普及等各個面向的問題。從2023年開始,漢民新設的廣源廠,已正式投入量產,可望加速推動電動車及新能源等領域的發展。

漢民SiC基板的優異品質,是創造客戶雙贏的重要基礎。其中一項關鍵指標BPD (Basal Plane Dislocation),已達到每平方公分1,000以下。

業務聯絡

Isaac Chu

0972-853615