漢民科技化合物半導體蝕刻系統，可為功率元件與射頻元件製造提供可靠與低成本的解決方案。
本蝕刻系統以12吋先進半導體製程設備為設計藍本，汲取12吋先進半導體蝕刻製程經驗，打造出新一代6/8吋半導體蝕刻設備系統，因此本系統具備許多製程調整功能，能夠因應各種嚴苛的製程規格。
感應耦合式電漿蝕刻機
Inductively Couple Plasma Etcher
優異製程性能
優異的蝕刻速率控制
優異的均勻性
高選擇性
優異的輪廓控制
製程參數調整裕度大
占地面積小
簡潔的系統設計
具彈性化的 4 個腔室配置對應
高生產力
低產出成本
高產出片數
靈活的控制台平臺
另外，本蝕刻系統的製程流程是採取Clean mode，每回主要蝕刻製程結束，晶圓退出後會進行腔體清潔，俗稱WLDC ( Wafer less dry clean)，因此製程腔體能夠長時間保持清潔，延長保養時間，並且維持穩定的製程能力，製程腔體保養時間短，回線速度快。
漢民ICP Etcher簡潔的系統設計，搭配四個腔室的彈性配置，能以較小的佔地面積，實現優異的生產效率，在整體運營成本、產能及擴充性等方面，都有優異的表現，是半導體先進製程產線的強力奧援。
