宽带隙功率半导体
作为半导体产业的重要发展趋势，汉民科技领先投入宽能带隙半导体（亦称化合物半导体或第三代半导体）的设备研发与生产，进行全方位布局已逾二十年，从IC设计、材料、生产设备、磊晶，到晶圆代工，已成为台湾供应链布局最完整的厂商：
碳化矽基板在台生產一條龍
碳化硅（SiC）是宽带隙功率半导体的明日之星，也被视为战略性物资，但基板材料的晶体成长技术难度极高，过往多掌握在美日厂商手中。汉民以多年时间研制SiC长晶炉设备，启动SiC基板制造业务，在台湾竹南广源设厂并投入量产，提供包括SiC长晶、定位加工、切割、研磨与基板制造等关键材料的完整产制服务。
關鍵設備研發與製造
汉民自主研发半导体设备，包含金属有机化学气相沉积设备（MOCVD）、ICP电浆蚀刻机（ICP Etcher）、匀胶涂布及显影机（Coater/Developer）以及电子束蒸镀设备（E-beam Evaporator）等，可因应化合物半导体制程等需求。
測試解決方案
汉民测试（HTSI）累积丰厚的技术能量，提供高阶探针卡（Probe Card）、自动光学检测与雷射清洁（Laser Cleaner）等客制化服务，为客户与通讯、能源、HPC与AI领域的应用产品，提供完善的支持服务。
汉民积极发展化合物半导体相关业务，二十年来一步一脚印，以前瞻布局，因应未来技术投产、支持产业发展、加速应用普及等各个面向的问题。从2023年开始，汉民新设的广源厂，已开始量产高质量的6”n-type SiC基板，可望运用在电动车及新能源等领域。而MOCVD已完成硬件验证，着手进行制程测试，并持续优化机台功能，为快速成长的各项化合物半导体相关产品量产需求积攒能量。
Hermes-Epitek
in Compound Semiconductor Field
