半导体自主设备研发
汉民科技深耕半导体制程技术与服务，历经逾45年的淬炼，长期投入自主研发半导体设备，已陆续展现成果，为台湾半导体产业的自主设备研发奠定基础。
从电子束、离子束，到中子束的技术研发；从物理、化学基础研究，延伸到设备发展，汉民多年来整合国际技术团队，移转深耕台湾。
除了半导体制程检测的电子束设备引领业界、开花结果外，汉辰科技（AIBT）制造的低能量高电流离子植入机（Ion Implanter），亦持续和全球半导体最大先进制程客户，共同推进3奈米制程技术，并投入2奈米的设备研发，已成为台湾半导体前段制程设备的领导厂商。
因应新能源、电动车等新应用领域的需求，汉民亦布局宽带隙功率半导体，藉由自主设备（长晶炉）的研发与完整的供应链整合，提供客户多元且客制化的解决方案，将半导体制程技术，由当前主流的硅晶圆，推展至碳化硅（SiC）等新世代宽带隙半导体领域。
半导体是一切科技产业的基础，设备则是台湾未来保持产业领先优势、不可或缺的一环。汉民作为台湾唯一研发制造半导体前段设备的厂商，持续培养本土供应链、深化学界合作、提升在地化的能量。除了在半导体领域与时俱进以外，汉民科技亦将以此为基础，布局精准医疗及其他革命性科技的设备与技术研发。
AIBT高电流离子植入机
伙伴企业汉辰科技（AIBT） 开发制造的低能量高电流离子植入机（Ion Implanter），推动世界的先进逻辑与通讯芯片的高性能运作，成为半导体前段制程的关键设备之一。
金属有机化学气相沉积设备
十多年前即投入研发的金属有机化学气相沉积设备（MOCVD），拥有完整产品线，可对应氮化镓（GaN）、GaN on Si、砷化镓（GaAs）及磷化铟（InP） 等化合物半导体之制程需求。
ICP电浆蚀刻机
在2013年推出光电产业用的蚀刻机后，经过多年发展，汉民于2021年跨入宽带隙 (化合物）半导体市场，推出可挂四腔的干式电浆蚀刻机台ICP （Inductively Coupled Plasma）Etcher，以6吋或8吋单片传输模式进行蚀刻处理。
电子束蒸镀设备
2002年推出的电子束蒸镀设备（E-beam Evaporator），历经多代演进，从2020年起发展为掀离（Lift-Off）制程的应用机型。
精准医疗
在先进制程的科研基础之上，汉民科技亦将技术布局，延伸至精准医疗领域。汉民已引进硼中子捕获治疗，
