光罩制作 (Mask Manufacturing)
经由雷射/电子束描绘机将线路图描绘在石英/玻璃基板上,此基板(光罩),会借曝光机投影成像技术,将其线路图成像到晶圆或玻璃基板上。
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光罩修补(Photo Mask Repair)
雷射气相沉积(Laser CVD): 利用特殊雷射CVD成膜之技术,使用雷射将羰基金属化合物-Cr(CO)6高温分解(光解作用),使Cr附着于光罩上,进而将不良线路修补连接。
扩散及薄膜(Diffusion & Thin Film)
用途广泛,应用于扩散、趋入、氧化、薄膜沉积、退火、热烧结
可分为常压、低压沉积、原子层薄膜沉积
离子植入(Ion Implantation)
晶片透过离子束植入离子,增加半导体导电性,形成 p 型或 n 型半导体
主要分为高电流、中电流和高能量等离子植入机
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湿蚀刻
利用药液,将晶圆表面上的图形,做选择性地去除
可分为多反应槽式、单槽式、单晶圆式
清洁
要制作精密的硅晶圆产品,需要非常洁净的表面,才能质量极佳化
光阻塗佈: 去水烘烤、HMDS塗佈、光阻塗佈、厚PI塗佈、軟烤
将光刻膠由喷嘴喷吐在芯片上,使用旋转载台带动芯片高速旋转后,将光刻膠均匀散布在芯片上
顯影: 曝後烤、顯影、硬烤
将显影液由喷嘴喷吐在芯片上,将光刻膠显影后以DIW(去离子)水加以冲洗,然后再将芯片上的水旋干。
可配合客户压印制程使用
利用气体作为反应物,以低压和高能的环境产生电浆,去除硅晶圆表面的薄膜,定义出图形。
可分为物理性、化学性、活性离子。
将晶片表面之突出部分,藉由机械抛光方式除去,也可选择部分抛光。
抛光期间会添加研磨浆料及化学物质,增加抛光率与平坦度。
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制程检测 (Process Metrology)
测量各制程机台的制程参数,如薄膜厚度、关键尺寸线宽、多层图案对准、蚀刻深度、材料电性与物性等。
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气体性分子污染物检测 (Airborne Molecular Contamination Monitoring)
侦测与监控无尘室内环境之可能AMC污染源,包括污染气体、制程反应逸散、设备材料本身挥发产生及设备维护过程气体挥发等
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气体杂质浓度(AMC/Particle Filtration)
可以通过客制化学滤网去除进入厂房或设备端AMC问题。
经由由客制高效除尘滤网去除进入厂房或设备端粉尘问题。
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以磁控溅射镀膜方式于晶圆表面进行金属镀膜
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利用光学投影成像或直接光刻,将电路图案复印至覆盖晶圆表面的光阻材料,以达成图案化。
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电镀是一种电化学沉积过程,经由电解反应把一种金属镀于另一种金属物体的表面。
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貼合:將兩片不同功能的晶圓,經對準及貼合技術,使晶片彼此之間完成貼合;在應用上則區分永久性貼合及暫時性貼合。
剝離:將裝置晶圓(Device Wafer)暫時地貼合到一個載具晶圓(Carrier Wafer)上,助其後製程的晶圓薄化處理,完成後製程序之後接續進行剝離程序。
The cut dies (chips) are placed on the IC substrate to be bonded based on the required bonding speed and accuracy.
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植球:将锡球(Solder)植入 IC 脚垫(Pad) 。
回流焊:透过热处理程序熔化焊料,使锡球完全接合于焊垫。
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无须助焊剂之植球与回焊及其检测
Fluxless Solder Ball Bumping total solution
无须助焊剂热压接合晶片黏合机及其检测
Fluxless Thermal Compression Gang Bonder & AXI+
晶圆表面缺陷检测及量测:
利用光学取得晶圆表面影像,辅以电脑影像处理技术来检出异物或图案异常等瑕疵。
2维/3维 X光检验:
断层扫描:提供扫描对象内部结构的三维图像,包括缺陷或其他欲被检验区域的确切空间位置。
层析成像:介于2维X光检查与3D断层扫描技术中间体,目的为解决检查平面组件的挑战,提供可靠的检验缺陷并在平面对象中进行空间定位。
贴合:将两片不同功能的晶圆,经对准及贴合技术,使晶片彼此之间完成贴合;在应用上则区分永久性贴合及暂时性贴合。
剥离:将装置晶圆(Device Wafer)暂时地贴合到一个载具晶圆(Carrier Wafer)上,助其后制程的晶圆薄化处理,完成后制程序之后接续进行剥离程序。
将已切好的晶片放置在IC基板上,相连之黏着,要求的是黏着的速度,正确度。
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