导电型4H碳化硅及半绝缘基板

汉民以多年时间研制SiC长晶炉设备，启动SiC基板制造业务，提供包括SiC长晶、定位加工、切割、研磨与基板制造等关键材料的完整产制服务。汉民供应6吋与8吋导电型4H碳化硅及半绝缘基板，并依据客户规格及需求提供所需之SiC基板。

汉民积极发展宽能隙与化合物半导体相关业务，二十年来一步一脚印，以前瞻布局，因应未来技术落地、产业发展、应用普及等各个面向的问题。从2023年开始，汉民新设的广源厂，已正式投入量产，可望加速推动电动车及新能源等领域的发展。