AIBT专注于高电流离子植入解决方案，产品可应用于28nm至2nm及更先进的制程。
我们的解决方案提供卓越的生产力及领先业界的能量污染控制性能，这得益于我们的专利「Chicane Beamline」技术。iBlazar的精确ISO扫描模式在高倾角、低能量的离子植入中实现了更佳的均匀度。其大范围的倾角、精确的控制和补偿能力，使iBlazar成为多种应用的理想选择。
高电流离子布植机
High-current Ion Implanter
无能量污染
高生产力
精准的束流角度控制能力
最大的离子植入角度与先进的ISO扫描模式
卓越的粒子缺陷控制
占地面积小
极低能量高电流离子布植设备
在高电流离子植入的专业领域里，极低能量植入( ULE， Ultra Low Energy ) 代表对制程控制的极致挑战。AIBT结合本土研发及供应链能量，与全球领导客户合作，突破最尖端逻辑制程的技术挑战。
iBlazar
采用业界标准的Linear scan，并融入最新技术 ISO scan与高效率芯片传输系统，藉由提供先进高电流与极低能高电流，可精确控制角度并提升产能，与 iPulsar Plus 可技术衔接。
拥有最大晶圆倾斜角度植入能力，此为市场领先技术，同时具备卓越的粒子缺陷控制与高真空性能。在领先技术与高生产效益的引领下，iBlazar实现了高电流离子植入机的极致表现。
更多信息，请参阅汉辰科技官网：https://www.aibt.com.tw/
