汉民科技化合物半导体蚀刻系统可为功率组件与射频组件制造提供可靠与低成本的解决方案。
本蚀刻系统以12寸先进半导体制程设备为设计蓝本，汲取12寸先进半导体蚀刻制程经验，打造出新一代6/8寸半导体蚀刻设备系统，因此本系统具备许多制程调整功能，能够因应各种严苛的制程规格。
感应耦合式电浆蚀刻机
Inductively Couple Plasma Etcher
优异制程性能
优异的蚀刻速率控制
优异的均匀性
高选择性
优异的轮廓控制
制程参数调整裕度大
占地面积小
简洁的系统设计
具弹性化的 4 个腔室配置对应
高生产力
低产出成本
高产出片数
灵活的控制台平台
另外，本蚀刻系统的制程流程是采取Clean mode，每回主要蚀刻制程结束，晶圆退出后会进行腔体清洁，俗称WLDC ( Wafer less dry clean)，因此制程腔体能够长时间保持清洁，延长保养时间，并且维持稳定的制程能力，制程腔体保养时间短，回线速度快。
汉民ICP Etcher简洁的系统设计，搭配四个腔室的弹性配置，能以较小的占地面积，实现优异的生产效率，在整体运营成本、产能及扩充性等方面，都有优异的表现，是半导体先进制程产线的强力奥援。
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